Ningún producto
Discos Internos
- Ordenadores
- Portatiles
- Tablets
- Smartphones
- Componentes
- Impresoras y multifunciones
-
Accesorios / Periféricos
- Discos y cajas externos
- Gafas
- PlaySeat
- Mesas Gaming
- Accesoios TR
- Discos y cajas externo
- Pendrive
- Memorias Flash
- Monitores/TV/Proyectores
- Teclados
- Teclado y Ratón Kit
- Ratones
- Altavoces
- Alfombrillas
- Auriculares
- WebCam/Cámaras IP
- GamePad/Volantes
- Sillas Gaming
- SAI/UPS
- Presentadores
- AndroidTV/Capturadoras Video/TV - Tabletas
- Hubs y adaptadores
- Cables
- Tintas/Toner/Papel
- Software
- LED / Electro-Hogar
- TPV
- Oficina
- Imagen y sonido
- Redes
- Almacenamiento
- Cables
- Gaming
SSD Samsung 990 Pro 2Tb M.2 NVMe V-NAND (MZ-V9P2T0BW)
MZ-V9P2T0BW
Nuevo producto
Descubre el potente rendimiento con PCIe 4.0 y experimenta velocidades de vértigo para vencer al contrincante. La regulación térmica del controlador Samsung ofrece una alta eficiencia energética manteniendo el máximo rendimiento y altas velocidades.
Potente SSD Interno PCIe 4.0 NVMeTM para tareas exigentes como el procesamiento de vídeo en 4K y gráficos en 3D, así como para juegos de alta exigencia.
Velocidad de vértigo: velocidades de lectura/escritura de hasta 7450/6900 MB/s.
Alta fiabilidad gracias a la tecnología Heat Spreader y Dynamic Thermal Guard del SSD para proteger frente al sobrecalentamiento y hasta 1.200 TBW
El software gratuito Samsung Magician optimiza el rendimiento y siempre mantiene la unidad al día con actualizaciones.
Todos los pedidos con destino península deberán abonar el importe correspondiente al IVA al transportista antes de la entrega.
187,00 € sin impuestos
sin impuestos
| Formato SSD | M.2 |
| Capacidad Disco | 2 Tb. |
-
Características:
- Aplicación Client PCs, Game Consoles
- Capacidad 2,000GB (1GB=1 Billion byte by IDEMA) * Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise)
- Formato M.2 (2280)
- Interfaz PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- Dimensiones 80 x 22 x 2.3 mm
- Peso Max 9.0g Weight
- Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Controller Samsung in-house Controller
- Memoria caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
- Características especiales
- Soporte TRIM Supported
- Soporte S.M.A.R.T Supported
- GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
- Encriptación AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- WWN Not supported
- Soporte Modo Suspensión en dispositivo Sí
- Lectura secuencial Up to 7,450 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
- Escritura secuencial Up to 6,900 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
- Lectura aleatoria (4KB, QD32) Up to 1,400,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
- Escritura aleatoria (4KB, QD32) Up to 1,550,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
- Lectura aleatoria (4KB, QD1) Up to 22,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
- Escritura aleatoria (4KB, QD1) Up to 80,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
- Consumo energético medio *Average: 5.5 W*Maximum: 8.5 W (Burst mode)* Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
- Consumo energético (Idle) Max. 55 mW * Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
- Voltaje soportado 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
- Durabilidad (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura 0 - 70 ? Operating Temperature
- Golpes 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
30 productos más en la misma categoría:
Nuetras Marcas
